Справочник MOSFET. J113

 

J113 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: J113
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 30 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

J113 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:31K  philips
j111 j112 j113 cnv.pdfpdf_icon

J113

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETJ111; J112; J113N-channel silicon field-effecttransistorsJuly 1993Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors J111; J112; J113DESCRIPTIONSymmetrical silicon n-channeljunction FETs in plastic TO-92envelopes. They are intended forapp

 ..2. Size:488K  fairchild semi
j111 j112 j113 mmbfj111 mmbfj112 mmbfj113.pdfpdf_icon

J113

J111 MMBFJ111J112 MMBFJ112J113 MMBFJ113GSG TO-92S SOT-23 DDMark: 6P / 6R / 6SNOTE: Source & Drain are interchangeableN-Channel SwitchThis device is designed for low level analog switching, sampleand hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourcedfrom Process 51.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG D

 ..3. Size:52K  vishay
j111 j112 j113 sst111 sst112 sst113.pdfpdf_icon

J113

J/SST111 SeriesVishay SiliconixN-Channel JFETsJ111 SST111J112 SST112J113 SST113PRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)J/SST111 3 to 10 30 5 4J/SST112 1 to 5 50 5 4J/SST113 v3 100 5 4FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 111

 0.1. Size:32K  philips
pmbfj111 pmbfj112 pmbfj113 cnv 2.pdfpdf_icon

J113

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPMBFJ111;PMBFJ112; PMBFJ113N-channel junction FETsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationPMBFJ111;N-channel junction FETsPMBFJ112; PMBFJ113FEATURES High-speed switching Interchangeability of drain andsource connections3handbook, halfpage Low

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ME95N10F-G | CHM4416JGP | SM2221CSQG | TTP120N03AT | TTP120N04AT | OSG60R065JT3F | BUK9675-55

 

 
Back to Top

 


 
.