Справочник MOSFET. WFW24N50W

 

WFW24N50W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFW24N50W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для WFW24N50W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFW24N50W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  winsemi
 wfw24n50w.pdf pdf_icon

WFW24N50W

WFW24N50WWFW24N50WWFW24N50WWFW24N50WSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 24A,500V,RDS(on)(Max0.19)@VGS=10V Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhancement mod

 6.1. Size:428K  winsemi
 wfw24n50n.pdf pdf_icon

WFW24N50W

WFW24N50NWFW24N50NWFW24N50NWFW24N50NSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 24A,500V,RDS(on)(Max0.19)@VGS=10V Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhancement mod

Другие MOSFET... WFU830 , WFW064N , WFW13N50 , WFW18N50 , WFW18N50N , WFW18N50W , WFW20N60W , WFW24N50N , RU6888R , WFW40N25W , WFW9N90 , WFW9N90W , WFY3N02 , WFY3P02 , WFY4101 , WFY5N03 , WFY5P03 .

History: 2SK1566 | RK7002BT116 | SI1413EDH | S68N08ZS | LSH60R2K5HT | STY100NS20FD | IPD170N04NG

 

 
Back to Top

 


 
.