Справочник MOSFET. WFW9N90

 

WFW9N90 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WFW9N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN

 Аналог (замена) для WFW9N90

 

 

WFW9N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  winsemi
 wfw9n90.pdf

WFW9N90 WFW9N90

WFW9N90WFW9N90WFW9N90WFW9N90Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,900V,R (Max1.35)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThese N-Channel enhancement mode p

 0.1. Size:532K  winsemi
 wfw9n90w.pdf

WFW9N90 WFW9N90

WFW9N90WWFW9N90WWFW9N90WWFW9N90WSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,900V, R (Max1.35)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhancement mo

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top