WFW9N90W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFW9N90W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для WFW9N90W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFW9N90W даташит

 ..1. Size:532K  winsemi
 wfw9n90w.pdf pdf_icon

WFW9N90W

WFW9N90W WFW9N90W WFW9N90W WFW9N90W Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,900V, R (Max1.35 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mo

 7.1. Size:428K  winsemi
 wfw9n90.pdf pdf_icon

WFW9N90W

WFW9N90 WFW9N90 WFW9N90 WFW9N90 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,900V,R (Max1.35 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description These N-Channel enhancement mode p

Другие IGBT... WFW18N50, WFW18N50N, WFW18N50W, WFW20N60W, WFW24N50N, WFW24N50W, WFW40N25W, WFW9N90, IRF1405, WFY3N02, WFY3P02, WFY4101, WFY5N03, WFY5P03, WFY6N02, PMCPB5530X, PMCXB900UE