Справочник MOSFET. WFW9N90W

 

WFW9N90W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFW9N90W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для WFW9N90W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFW9N90W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  winsemi
 wfw9n90w.pdf pdf_icon

WFW9N90W

WFW9N90WWFW9N90WWFW9N90WWFW9N90WSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,900V, R (Max1.35)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhancement mo

 7.1. Size:428K  winsemi
 wfw9n90.pdf pdf_icon

WFW9N90W

WFW9N90WFW9N90WFW9N90WFW9N90Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,900V,R (Max1.35)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThese N-Channel enhancement mode p

Другие MOSFET... WFW18N50 , WFW18N50N , WFW18N50W , WFW20N60W , WFW24N50N , WFW24N50W , WFW40N25W , WFW9N90 , NCEP15T14 , WFY3N02 , WFY3P02 , WFY4101 , WFY5N03 , WFY5P03 , WFY6N02 , PMCPB5530X , PMCXB900UE .

History: LNTR4003NLT1G | SSM6P15FU | SWN7N65K2 | IXTK120N25P | STD100N03LT4 | HGP059N08A | STW75N60M6

 

 
Back to Top

 


 
.