WFY3P02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFY3P02

Маркировка: P02YM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для WFY3P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFY3P02 даташит

 ..1. Size:225K  winsemi
 wfy3p02.pdf pdf_icon

WFY3P02

WFY3P02 WFY3P02 WFY3P02 WFY3P02 Trench Power MOSFET TrenchPower MOSFET TrenchPower MOSFET Trench PowerMOSFET -20 V, Single P-Channel, SOT-23 -20 V, Single P-Channel, SOT-23 -20 V, Single P-Channel, SOT-23 -20 V, Single P-Channel, SOT-23 Features -3.2A, -20V, RDS(on)(Max 85m )@VGS=-4.5V -1.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint

Другие IGBT... WFW18N50W, WFW20N60W, WFW24N50N, WFW24N50W, WFW40N25W, WFW9N90, WFW9N90W, WFY3N02, IRFZ48N, WFY4101, WFY5N03, WFY5P03, WFY6N02, PMCPB5530X, PMCXB900UE, PMDPB28UN, PMDPB30XN