PMCPB5530X. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMCPB5530X

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6

Аналог (замена) для PMCPB5530X

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMCPB5530X даташит

 ..1. Size:1321K  nxp
 pmcpb5530x.pdf pdf_icon

PMCPB5530X

PMCPB5530X 20 V, complementary Trench MOSFET Rev. 1 26 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching

Другие IGBT... WFW9N90, WFW9N90W, WFY3N02, WFY3P02, WFY4101, WFY5N03, WFY5P03, WFY6N02, IRFB7545, PMCXB900UE, PMDPB28UN, PMDPB30XN, PMDPB38UNE, PMDPB42UN, PMDPB55XP, PMDPB56XN, PMDPB58UPE