PMCPB5530X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMCPB5530X
Маркировка: 1W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
Тип корпуса: DFN2020-6
Аналог (замена) для PMCPB5530X
PMCPB5530X Datasheet (PDF)
..1. Size:1321K nxp
pmcpb5530x.pdf
pmcpb5530x.pdf
PMCPB5530X20 V, complementary Trench MOSFETRev. 1 26 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
