Справочник MOSFET. PMDPB56XN

 

PMDPB56XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMDPB56XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.073 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6
 

 Аналог (замена) для PMDPB56XN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMDPB56XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:879K  nxp
 pmdpb56xn.pdf pdf_icon

PMDPB56XN

PMDPB56XN30 V, dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 16 May 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Small an

 0.1. Size:727K  nxp
 pmdpb56xnea.pdf pdf_icon

PMDPB56XN

PMDPB56XNEA30 V, dual N-channel Trench MOSFET19 April 2016 Product data sheet1. General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadlessDFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Leadless medium

 8.1. Size:879K  nxp
 pmdpb55xp.pdf pdf_icon

PMDPB56XN

PMDPB55XP20 V, dual P-channel Trench MOSFETRev. 3 4 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Small an

 8.2. Size:875K  nxp
 pmdpb58upe.pdf pdf_icon

PMDPB56XN

PMDPB58UPE20 V dual P-channel Trench MOSFETRev. 1 19 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WFY6N02 , PMCPB5530X , PMCXB900UE , PMDPB28UN , PMDPB30XN , PMDPB38UNE , PMDPB42UN , PMDPB55XP , AO3407 , PMDPB58UPE , PMDPB70EN , PMDPB70XP , PMDPB70XPE , PMDPB80XP , PMDPB85UPE , PMDPB95XNE , PMDT290UCE .

History: IXFT60N20 | SVS80R430FJHE3 | SSM6L40TU | 2SK187 | CEF12N6 | PMN120ENE | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.