Справочник MOSFET. PMGD130UN

 

PMGD130UN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMGD130UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP6
 

 Аналог (замена) для PMGD130UN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMGD130UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:883K  nxp
 pmgd130un.pdf pdf_icon

PMGD130UN

PMGD130UN20 V, dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast

 9.1. Size:888K  nxp
 pmgd175xn.pdf pdf_icon

PMGD130UN

PMGD175XN30 V, dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology1.3 Applications

Другие MOSFET... PMDXB600UNE , PMDXB950UPE , PMF63UN , PMF77XN , PMF87EN , PMFPB8032XP , PMFPB8040XP , PMG45UN , IRF3710 , PMGD175XN , PMGD290UCEA , PMN22XN , PMN27XPE , PMN27XPEA , PMN40UPE , PMN40UPEA , PMN42XPE .

History: AP9950AGP-HF | APT50M50L2LLG | APT50M60L2VFRG

 

 
Back to Top

 


 
.