Справочник MOSFET. PMN50UPE

 

PMN50UPE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMN50UPE
   Маркировка: WH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 700 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для PMN50UPE

 

 

PMN50UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  nxp
 pmn50upe.pdf

PMN50UPE PMN50UPE

PMN50UPE20 V, single P-channel Trench MOSFET20 July 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 3 kV ESD protected Trench MOSFET technology Low threshold voltage1

 9.1. Size:260K  nxp
 pmn50epe.pdf

PMN50UPE PMN50UPE

PMN50EPE30 V, P-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Discharg

 9.2. Size:127K  nxp
 pmn50xp.pdf

PMN50UPE PMN50UPE

PMN50XPP-channel TrenchMOS extremely low level FETRev. 02 2 October 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionExtremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features Low on-state

 9.3. Size:834K  cn vbsemi
 pmn50xp.pdf

PMN50UPE PMN50UPE

PMN50XPwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop V iew1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mmP-Cha

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top