Справочник MOSFET. PMN70XPE

 

PMN70XPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN70XPE
   Маркировка: WF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN70XPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  nxp
 pmn70xpe.pdf pdf_icon

PMN70XPE

PMN70XPE20 V, single P-channel Trench MOSFET6 July 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology

 0.1. Size:276K  nxp
 pmn70xpea.pdf pdf_icon

PMN70XPE

PMN70XPEA20 V, single P-channel Trench MOSFET19 June 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Fast switching Trench MOSFET technology 2 kV ESD protection

 7.1. Size:735K  nxp
 pmn70xp.pdf pdf_icon

PMN70XPE

PMN70XP20 V, P-channel Trench MOSFET29 January 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipat

 9.1. Size:265K  nxp
 pmn70epe.pdf pdf_icon

PMN70XPE

PMN70EPE30 V, P-channel Trench MOSFET23 May 2017 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching Enhanced power dissipati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APT30M36LLL

 

 
Back to Top

 


 
.