PMN70XPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN70XPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN70XPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN70XPE даташит

 ..1. Size:201K  nxp
 pmn70xpe.pdf pdf_icon

PMN70XPE

 0.1. Size:276K  nxp
 pmn70xpea.pdf pdf_icon

PMN70XPE

 7.1. Size:735K  nxp
 pmn70xp.pdf pdf_icon

PMN70XPE

PMN70XP 20 V, P-channel Trench MOSFET 29 January 2016 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipat

 9.1. Size:265K  nxp
 pmn70epe.pdf pdf_icon

PMN70XPE

PMN70EPE 30 V, P-channel Trench MOSFET 23 May 2017 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching Enhanced power dissipati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMN27XPE, PMN27XPEA, PMN40UPE, PMN40UPEA, PMN42XPE, PMN42XPEA, PMN50UPE, PMN50XP, IRF9540, PMN70XPEA, PMN80XP, PMPB10XNE, PMPB11EN, PMPB12UN, PMPB13XNE, PMPB15XN, PMPB15XP