PMN80XP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN80XP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.385 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.102 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN80XP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN80XP даташит

 ..1. Size:932K  nxp
 pmn80xp.pdf pdf_icon

PMN80XP

PMN80XP 20 V, single P-channel Trench MOSFET Rev. 1 8 May 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits RDSon specified at 1.8 V operation Fast switching Trench MOS

Другие IGBT... PMN40UPE, PMN40UPEA, PMN42XPE, PMN42XPEA, PMN50UPE, PMN50XP, PMN70XPE, PMN70XPEA, 2SK3878, PMPB10XNE, PMPB11EN, PMPB12UN, PMPB13XNE, PMPB15XN, PMPB15XP, PMPB16XN, PMPB19XP