Справочник MOSFET. PMN80XP

 

PMN80XP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN80XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.385 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.102 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN80XP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN80XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:932K  nxp
 pmn80xp.pdf pdf_icon

PMN80XP

PMN80XP20 V, single P-channel Trench MOSFETRev. 1 8 May 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits RDSon specified at 1.8 V operation Fast switching Trench MOS

Другие MOSFET... PMN40UPE , PMN40UPEA , PMN42XPE , PMN42XPEA , PMN50UPE , PMN50XP , PMN70XPE , PMN70XPEA , IRFP260 , PMPB10XNE , PMPB11EN , PMPB12UN , PMPB13XNE , PMPB15XN , PMPB15XP , PMPB16XN , PMPB19XP .

History: AP95T06GS-HF

 

 
Back to Top

 


 
.