PMN80XP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PMN80XP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.385 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.102 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
PMN80XP Datasheet (PDF)
pmn80xp.pdf

PMN80XP20 V, single P-channel Trench MOSFETRev. 1 8 May 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits RDSon specified at 1.8 V operation Fast switching Trench MOS
Другие MOSFET... PMN40UPE , PMN40UPEA , PMN42XPE , PMN42XPEA , PMN50UPE , PMN50XP , PMN70XPE , PMN70XPEA , IRFP260 , PMPB10XNE , PMPB11EN , PMPB12UN , PMPB13XNE , PMPB15XN , PMPB15XP , PMPB16XN , PMPB19XP .
History: IXFR64N50Q3 | JCS6N90GDA | IXFT18N100Q3
History: IXFR64N50Q3 | JCS6N90GDA | IXFT18N100Q3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet