Справочник MOSFET. PMPB13XNE

 

PMPB13XNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMPB13XNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020MD-6
 

 Аналог (замена) для PMPB13XNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB13XNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  nxp
 pmpb13xne.pdf pdf_icon

PMPB13XNE

PMPB13XNE30 V, single N-channel Trench MOSFET26 November 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits 1 kV ESD protection Small and leadless ultra thin SMD plastic pack

 0.1. Size:294K  nxp
 pmpb13xnea.pdf pdf_icon

PMPB13XNE

PMPB13XNEA30 V, N-channel Trench MOSFET10 September 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flank

 8.1. Size:325K  nxp
 pmpb13up.pdf pdf_icon

PMPB13XNE

PMPB13UP12 V, P-channel Trench MOSFET4 September 2019 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks f

 9.1. Size:321K  nxp
 pmpb100xpea.pdf pdf_icon

PMPB13XNE

PMPB100XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET13 November 2019 Product data sheet1. General DescriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMN50UPE , PMN50XP , PMN70XPE , PMN70XPEA , PMN80XP , PMPB10XNE , PMPB11EN , PMPB12UN , IRF4905 , PMPB15XN , PMPB15XP , PMPB16XN , PMPB19XP , PMPB20EN , PMPB20UN , PMPB20XPE , PMPB215ENEA .

History: 2SK3269 | BRCS4294SC | OSG70R1K4PF | SPD04P10PLG | CED05N8 | AFP2311 | TPCA8049-H

 

 
Back to Top

 


 
.