PMPB15XP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMPB15XP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: DFN2020MD-6

Аналог (замена) для PMPB15XP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB15XP даташит

 ..1. Size:252K  nxp
 pmpb15xp.pdf pdf_icon

PMPB15XP

PMPB15XP 12 V, single P-channel Trench MOSFET 22 November 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 1.5 kV ESD protection (human body model) Tren

 0.1. Size:298K  nxp
 pmpb15xpa.pdf pdf_icon

PMPB15XP

PMPB15XPA 12 V, P-channel Trench MOSFET 27 March 2018 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks for

 7.1. Size:227K  nxp
 pmpb15xn.pdf pdf_icon

PMPB15XP

PMPB15XN 20 V, single N-channel Trench MOSFET 13 September 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless

 9.1. Size:321K  nxp
 pmpb100xpea.pdf pdf_icon

PMPB15XP

PMPB100XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 13 November 2019 Product data sheet 1. General Description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMN70XPE, PMN70XPEA, PMN80XP, PMPB10XNE, PMPB11EN, PMPB12UN, PMPB13XNE, PMPB15XN, AO3401, PMPB16XN, PMPB19XP, PMPB20EN, PMPB20UN, PMPB20XPE, PMPB215ENEA, PMPB23XNE, PMPB27EP