PMPB215ENEA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMPB215ENEA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: DFN2020MD-6

Аналог (замена) для PMPB215ENEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB215ENEA даташит

 ..1. Size:235K  nxp
 pmpb215enea.pdf pdf_icon

PMPB215ENEA

PMPB215ENEA 80 V, single N-channel Trench MOSFET 18 December 2013 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plast

 9.1. Size:247K  nxp
 pmpb23xne.pdf pdf_icon

PMPB215ENEA

PMPB23XNE 20 V, single N-channel Trench MOSFET 30 November 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 2.1 kV ESD protection Small and leadless ult

 9.2. Size:732K  nxp
 pmpb20xnea.pdf pdf_icon

PMPB215ENEA

PMPB20XNEA 20 V, N-channel Trench MOSFET 22 February 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology

 9.3. Size:295K  nxp
 pmpb20xpea.pdf pdf_icon

PMPB215ENEA

PMPB20XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 27 March 2018 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMPB13XNE, PMPB15XN, PMPB15XP, PMPB16XN, PMPB19XP, PMPB20EN, PMPB20UN, PMPB20XPE, K4145, PMPB23XNE, PMPB27EP, PMPB29XNE, PMPB29XPE, PMPB33XN, PMPB33XP, PMPB40SNA, PMPB43XPE