PMPB29XPE - аналоги и даташиты транзистора

 

PMPB29XPE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMPB29XPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0325 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020MD-6
 

 Аналог (замена) для PMPB29XPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB29XPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  nxp
 pmpb29xpe.pdf pdf_icon

PMPB29XPE

PMPB29XPE20 V, single P-channel Trench MOSFET5 December 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 2.3 kV ESD protected Small and leadless ultra

 0.1. Size:278K  nxp
 pmpb29xpea.pdf pdf_icon

PMPB29XPE

PMPB29XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET27 March 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks fo

 7.1. Size:288K  nxp
 pmpb29xnea.pdf pdf_icon

PMPB29XPE

PMPB29XNEA30 V, N-channel Trench MOSFET10 September 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flank

 7.2. Size:258K  nxp
 pmpb29xne.pdf pdf_icon

PMPB29XPE

PMPB29XNE30 V, single N-channel Trench MOSFET26 November 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits 1 kV ESD protection Small and leadless ultra thin SMD plastic pack

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMPB19XP , PMPB20EN , PMPB20UN , PMPB20XPE , PMPB215ENEA , PMPB23XNE , PMPB27EP , PMPB29XNE , 5N65 , PMPB33XN , PMPB33XP , PMPB40SNA , PMPB43XPE , PMPB47XP , PMPB48EP , PMPB85ENEA , PMPB95ENEA .

History: VS3606AT | PJU7NA60 | NCEP0109AR

 

 
Back to Top

 


 
.