PMPB48EP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMPB48EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: DFN2020MD-6

Аналог (замена) для PMPB48EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB48EP даташит

 ..1. Size:235K  nxp
 pmpb48ep.pdf pdf_icon

PMPB48EP

PMPB48EP 30 V, single P-channel Trench MOSFET 10 September 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless

 0.1. Size:280K  nxp
 pmpb48epa.pdf pdf_icon

PMPB48EP

PMPB48EPA 30 V, P-channel Trench MOSFET 27 March 2018 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Side wettable flanks for optical solder inspection

 9.1. Size:271K  nxp
 pmpb40sna.pdf pdf_icon

PMPB48EP

PMPB40SNA 60 V N-channel Trench MOSFET 29 October 2013 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plastic package

 9.2. Size:237K  nxp
 pmpb47xp.pdf pdf_icon

PMPB48EP

PMPB47XP 30 V, single P-channel Trench MOSFET 5 December 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ul

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMPB27EP, PMPB29XNE, PMPB29XPE, PMPB33XN, PMPB33XP, PMPB40SNA, PMPB43XPE, PMPB47XP, NCEP15T14, PMPB85ENEA, PMPB95ENEA, PMR290UNE, PMR670UPE, PMT200EN, PMT760EN, PMV130ENEA, PMV16XN