Справочник MOSFET. PMPB85ENEA

 

PMPB85ENEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMPB85ENEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020MD-6
 

 Аналог (замена) для PMPB85ENEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB85ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  nxp
 pmpb85enea.pdf pdf_icon

PMPB85ENEA

PMPB85ENEA60 V, single N-channel Trench MOSFET19 December 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plasti

 9.1. Size:307K  nxp
 pmpb8xn.pdf pdf_icon

PMPB85ENEA

PMPB8XN20 V, N-channel Trench MOSFET24 September 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology

Другие MOSFET... PMPB29XNE , PMPB29XPE , PMPB33XN , PMPB33XP , PMPB40SNA , PMPB43XPE , PMPB47XP , PMPB48EP , IRFP250 , PMPB95ENEA , PMR290UNE , PMR670UPE , PMT200EN , PMT760EN , PMV130ENEA , PMV16XN , PMV20EN .

History: PMPB20UN | PMPB27EP | SIHP15N50E | ZXMN10A25GTA

 

 
Back to Top

 


 
.