Справочник MOSFET. PMPB85ENEA

 

PMPB85ENEA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMPB85ENEA
   Маркировка: 2C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020MD-6

 Аналог (замена) для PMPB85ENEA

 

 

PMPB85ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  nxp
 pmpb85enea.pdf

PMPB85ENEA PMPB85ENEA

PMPB85ENEA60 V, single N-channel Trench MOSFET19 December 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plasti

 9.1. Size:307K  nxp
 pmpb8xn.pdf

PMPB85ENEA PMPB85ENEA

PMPB8XN20 V, N-channel Trench MOSFET24 September 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top