PMPB85ENEA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMPB85ENEA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: DFN2020MD-6

Аналог (замена) для PMPB85ENEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB85ENEA даташит

 ..1. Size:240K  nxp
 pmpb85enea.pdf pdf_icon

PMPB85ENEA

PMPB85ENEA 60 V, single N-channel Trench MOSFET 19 December 2013 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plasti

 9.1. Size:307K  nxp
 pmpb8xn.pdf pdf_icon

PMPB85ENEA

Другие IGBT... PMPB29XNE, PMPB29XPE, PMPB33XN, PMPB33XP, PMPB40SNA, PMPB43XPE, PMPB47XP, PMPB48EP, AON7506, PMPB95ENEA, PMR290UNE, PMR670UPE, PMT200EN, PMT760EN, PMV130ENEA, PMV16XN, PMV20EN