Справочник MOSFET. PMPB85ENEA

 

PMPB85ENEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMPB85ENEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020MD-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB85ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  nxp
 pmpb85enea.pdf pdf_icon

PMPB85ENEA

PMPB85ENEA60 V, single N-channel Trench MOSFET19 December 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plasti

 9.1. Size:307K  nxp
 pmpb8xn.pdf pdf_icon

PMPB85ENEA

PMPB8XN20 V, N-channel Trench MOSFET24 September 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.