Справочник MOSFET. PMT200EN

 

PMT200EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMT200EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.235 Ohm
   Тип корпуса: SC-73
 

 Аналог (замена) для PMT200EN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMT200EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  nxp
pmt200en.pdfpdf_icon

PMT200EN

PMT200EN100 V N-channel Trench MOSFET25 October 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT223(SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technolo

 7.1. Size:286K  nxp
pmt200epe.pdfpdf_icon

PMT200EN

PMT200EPE70 V, P-channel Trench MOSFET14 March 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223 (SC-73)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic D

 9.1. Size:225K  prisemi
ppmt20v4e.pdfpdf_icon

PMT200EN

PPMT20V4E P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary V (V) R () I (A) DS DS(on) DG1-20 0.037 @ V =-4.5V -4 GSS2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage V -20VDSGate-Source Voltage V 10 V GSDrain Current Contin

 9.2. Size:109K  prisemi
ppmt20v3.pdfpdf_icon

PMT200EN

PPMT20V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) G10.08 @ VGS=-4.5V -20 -2.8 0.11@ VGS=-2.5V S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTE

Другие MOSFET... PMPB40SNA , PMPB43XPE , PMPB47XP , PMPB48EP , PMPB85ENEA , PMPB95ENEA , PMR290UNE , PMR670UPE , P60NF06 , PMT760EN , PMV130ENEA , PMV16XN , PMV20EN , PMV20XNE , PMV250EPEA , PMV27UPE , PMV30UN2 .

History: PSMN5R0-100PS | AFN3406A

 

 
Back to Top

 


 
.