PMT200EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMT200EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.235 Ohm

Тип корпуса: SC-73

Аналог (замена) для PMT200EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMT200EN даташит

 ..1. Size:213K  nxp
 pmt200en.pdf pdf_icon

PMT200EN

PMT200EN 100 V N-channel Trench MOSFET 25 October 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technolo

 7.1. Size:286K  nxp
 pmt200epe.pdf pdf_icon

PMT200EN

PMT200EPE 70 V, P-channel Trench MOSFET 14 March 2018 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic D

 9.1. Size:225K  prisemi
 ppmt20v4e.pdf pdf_icon

PMT200EN

PPMT20V4E P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary V (V) R ( ) I (A) DS DS(on) D G 1 -20 0.037 @ V =-4.5V -4 GS S 2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage V -20V DS Gate-Source Voltage V 10 V GS Drain Current Contin

 9.2. Size:109K  prisemi
 ppmt20v3.pdf pdf_icon

PMT200EN

PPMT20V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) G 1 0.08 @ VGS=-4.5V -20 -2.8 0.11@ VGS=-2.5V S 2 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMPB40SNA, PMPB43XPE, PMPB47XP, PMPB48EP, PMPB85ENEA, PMPB95ENEA, PMR290UNE, PMR670UPE, AO4407, PMT760EN, PMV130ENEA, PMV16XN, PMV20EN, PMV20XNE, PMV250EPEA, PMV27UPE, PMV30UN2