Справочник MOSFET. PMT760EN

 

PMT760EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMT760EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: SC-73
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMT760EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  nxp
 pmt760en.pdf pdf_icon

PMT760EN

PMT760EN100 V N-channel Trench MOSFET25 October 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT223(SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technolo

Другие MOSFET... PMPB43XPE , PMPB47XP , PMPB48EP , PMPB85ENEA , PMPB95ENEA , PMR290UNE , PMR670UPE , PMT200EN , 18N50 , PMV130ENEA , PMV16XN , PMV20EN , PMV20XNE , PMV250EPEA , PMV27UPE , PMV30UN2 , PMV37EN2 .

History: FDS4141

 

 
Back to Top

 


 
.