PMT760EN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMT760EN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: SC-73

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PMT760EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMT760EN даташит

 ..1. Size:211K  nxp
 pmt760en.pdf pdf_icon

PMT760EN

PMT760EN 100 V N-channel Trench MOSFET 25 October 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technolo

Другие IGBT... PMPB43XPE, PMPB47XP, PMPB48EP, PMPB85ENEA, PMPB95ENEA, PMR290UNE, PMR670UPE, PMT200EN, CS150N04A8, PMV130ENEA, PMV16XN, PMV20EN, PMV20XNE, PMV250EPEA, PMV27UPE, PMV30UN2, PMV37EN2