PMV130ENEA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV130ENEA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO-236AB

Аналог (замена) для PMV130ENEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV130ENEA даташит

 ..1. Size:245K  nxp
 pmv130enea.pdf pdf_icon

PMV130ENEA

PMV130ENEA 40 V, N-channel Trench MOSFET 12 June 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology 1 kV ESD protected

Другие IGBT... PMPB47XP, PMPB48EP, PMPB85ENEA, PMPB95ENEA, PMR290UNE, PMR670UPE, PMT200EN, PMT760EN, 4N60, PMV16XN, PMV20EN, PMV20XNE, PMV250EPEA, PMV27UPE, PMV30UN2, PMV37EN2, PMV40UN2