Справочник MOSFET. PMV130ENEA

 

PMV130ENEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV130ENEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO-236AB
 

 Аналог (замена) для PMV130ENEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV130ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  nxp
 pmv130enea.pdf pdf_icon

PMV130ENEA

PMV130ENEA40 V, N-channel Trench MOSFET12 June 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology 1 kV ESD protected

Другие MOSFET... PMPB47XP , PMPB48EP , PMPB85ENEA , PMPB95ENEA , PMR290UNE , PMR670UPE , PMT200EN , PMT760EN , 10N65 , PMV16XN , PMV20EN , PMV20XNE , PMV250EPEA , PMV27UPE , PMV30UN2 , PMV37EN2 , PMV40UN2 .

History: SI4128DY | NX7002AKA | CM25N06 | SI4114DY | SI4136DY | IPB65R280E6

 

 
Back to Top

 


 
.