Справочник MOSFET. PMV20EN

 

PMV20EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV20EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO-236AB
 

 Аналог (замена) для PMV20EN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV20EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  nxp
 pmv20en.pdf pdf_icon

PMV20EN

PMV20EN30 V, N-channel Trench MOSFET5 June 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology Enhanced power dissipat

 9.1. Size:719K  nxp
 pmv20xnea.pdf pdf_icon

PMV20EN

PMV20XNEA20 V, N-channel Trench MOSFET9 March 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Dischar

 9.2. Size:250K  nxp
 pmv20xne.pdf pdf_icon

PMV20EN

PMV20XNE30 V, N-channel Trench MOSFET10 November 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Enhanced power dissipation capability of 12

 9.3. Size:332K  tysemi
 pmv20xn.pdf pdf_icon

PMV20EN

Product specificationPMV20XN30 V, 4.8 A N-channel Trench MOSFETRev. 1 5 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMPB85ENEA , PMPB95ENEA , PMR290UNE , PMR670UPE , PMT200EN , PMT760EN , PMV130ENEA , PMV16XN , P0903BDG , PMV20XNE , PMV250EPEA , PMV27UPE , PMV30UN2 , PMV37EN2 , PMV40UN2 , PMV45EN2 , PMV48XPA .

History: YJL2312AL

 

 
Back to Top

 


 
.