Справочник MOSFET. PMV20XNE

 

PMV20XNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV20XNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-236AB
 

 Аналог (замена) для PMV20XNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV20XNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  nxp
 pmv20xne.pdf pdf_icon

PMV20XNE

PMV20XNE30 V, N-channel Trench MOSFET10 November 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Enhanced power dissipation capability of 12

 0.1. Size:719K  nxp
 pmv20xnea.pdf pdf_icon

PMV20XNE

PMV20XNEA20 V, N-channel Trench MOSFET9 March 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Dischar

 7.1. Size:332K  tysemi
 pmv20xn.pdf pdf_icon

PMV20XNE

Product specificationPMV20XN30 V, 4.8 A N-channel Trench MOSFETRev. 1 5 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET t

 9.1. Size:308K  nxp
 pmv20en.pdf pdf_icon

PMV20XNE

PMV20EN30 V, N-channel Trench MOSFET5 June 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology Enhanced power dissipat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMPB95ENEA , PMR290UNE , PMR670UPE , PMT200EN , PMT760EN , PMV130ENEA , PMV16XN , PMV20EN , 5N65 , PMV250EPEA , PMV27UPE , PMV30UN2 , PMV37EN2 , PMV40UN2 , PMV45EN2 , PMV48XPA , PMV50XP .

History: AP6N6R5LMT-L | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | AOI4T60P | CHM2313GP-A | UTM2054G-AE3-R

 

 
Back to Top

 


 
.