PMV250EPEA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV250EPEA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO-236AB

Аналог (замена) для PMV250EPEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV250EPEA даташит

 ..1. Size:244K  nxp
 pmv250epea.pdf pdf_icon

PMV250EPEA

PMV250EPEA 40 V, P-channel Trench MOSFET 20 June 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology 1 kV ESD protected

 9.1. Size:371K  nxp
 pmv25enea.pdf pdf_icon

PMV250EPEA

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

Другие IGBT... PMR290UNE, PMR670UPE, PMT200EN, PMT760EN, PMV130ENEA, PMV16XN, PMV20EN, PMV20XNE, 10N65, PMV27UPE, PMV30UN2, PMV37EN2, PMV40UN2, PMV45EN2, PMV48XPA, PMV50XP, PMV65XPE