Справочник MOSFET. PMV250EPEA

 

PMV250EPEA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMV250EPEA
   Маркировка: *JY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.48 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 4.7 nC
   Время нарастания (tr): 6 ns
   Выходная емкость (Cd): 35 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-236AB

 Аналог (замена) для PMV250EPEA

 

 

PMV250EPEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  nxp
 pmv250epea.pdf

PMV250EPEA PMV250EPEA

PMV250EPEA40 V, P-channel Trench MOSFET20 June 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology 1 kV ESD protected

 9.1. Size:371K  nxp
 pmv25enea.pdf

PMV250EPEA PMV250EPEA

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLML5203PBF

 

 
Back to Top