PMV30UN2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV30UN2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO-236AB

Аналог (замена) для PMV30UN2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV30UN2 даташит

 ..1. Size:265K  nxp
 pmv30un2.pdf pdf_icon

PMV30UN2

PMV30UN2 20 V, N-channel Trench MOSFET 24 April 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissip

 7.1. Size:238K  philips
 pmv30un.pdf pdf_icon

PMV30UN2

PMV30UN TrenchMOS ultra low level FET Rev. 01 25 June 2003 Product data M3D088 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMV30UN in SOT23. 1.2 Features Surface mount package Fast switching. 1.3 Applications Battery management High-speed switches. 1.4 Qui

 7.2. Size:107K  tysemi
 pmv30un.pdf pdf_icon

PMV30UN2

Product specification PMV30UN TrenchMOS ultra low level FET Rev. 01 25 June 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMV30UN in SOT23. 1.2 Features Surface mount package Fast switching. 1.3 Applications Battery management High-speed swi

 9.1. Size:254K  nxp
 pmv30enea.pdf pdf_icon

PMV30UN2

PMV30ENEA 40 V N-channel Trench MOSFET 2 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology El

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMT200EN, PMT760EN, PMV130ENEA, PMV16XN, PMV20EN, PMV20XNE, PMV250EPEA, PMV27UPE, RFP50N06, PMV37EN2, PMV40UN2, PMV45EN2, PMV48XPA, PMV50XP, PMV65XPE, PMV65XPEA, PMV75UP