PMV48XPA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV48XPA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO-236AB

Аналог (замена) для PMV48XPA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV48XPA даташит

 ..1. Size:249K  nxp
 pmv48xpa.pdf pdf_icon

PMV48XPA

PMV48XPA 20 V, P-channel Trench MOSFET 10 March 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSFET technology Very fast switching AEC-Q101 qualified

 0.1. Size:282K  nxp
 pmv48xpa2.pdf pdf_icon

PMV48XPA

PMV48XPA2 20 V, P-channel Trench MOSFET 28 April 2020 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology V

 7.1. Size:750K  nxp
 pmv48xp.pdf pdf_icon

PMV48XPA

PMV48XP 20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 21 December 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET tec

 7.2. Size:262K  tysemi
 pmv48xp.pdf pdf_icon

PMV48XPA

Product specification PMV48XP 20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 21 December 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMV20EN, PMV20XNE, PMV250EPEA, PMV27UPE, PMV30UN2, PMV37EN2, PMV40UN2, PMV45EN2, 20N50, PMV50XP, PMV65XPE, PMV65XPEA, PMV75UP, PMXB120EPE, PMXB350UPE, PMXB360ENEA, PMXB40UNE