PMV65XPEA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV65XPEA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm

Тип корпуса: TO-236AB

Аналог (замена) для PMV65XPEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV65XPEA даташит

 ..1. Size:238K  nxp
 pmv65xpea.pdf pdf_icon

PMV65XPEA

PMV65XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 27 November 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Enhanced power dissipation capability Ptot

 6.1. Size:235K  nxp
 pmv65xpe.pdf pdf_icon

PMV65XPEA

PMV65XPE 20 V, P-channel Trench MOSFET 25 April 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Enhanced power dissipation capability Ptot = 89

 7.1. Size:79K  philips
 pmv65xp.pdf pdf_icon

PMV65XPEA

PMV65XP P-channel TrenchMOS extremely low level FET Rev. 01 28 September 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low threshold voltage Low on-state resistance. 1.3 Applications Low power DC-to-DC converters Battery management Load sw

 7.2. Size:264K  nxp
 pmv65xp.pdf pdf_icon

PMV65XPEA

PMV65XP 20 V, single P-channel Trench MOSFET 12 February 2013 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology 3. Applicati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMV27UPE, PMV30UN2, PMV37EN2, PMV40UN2, PMV45EN2, PMV48XPA, PMV50XP, PMV65XPE, STF13NM60N, PMV75UP, PMXB120EPE, PMXB350UPE, PMXB360ENEA, PMXB40UNE, PMXB43UNE, PMXB56EN, PMXB65ENE