Справочник MOSFET. PMV65XPEA

 

PMV65XPEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV65XPEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: TO-236AB
 

 Аналог (замена) для PMV65XPEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV65XPEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  nxp
pmv65xpea.pdfpdf_icon

PMV65XPEA

PMV65XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET27 November 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Enhanced power dissipation capability: Ptot

 6.1. Size:235K  nxp
pmv65xpe.pdfpdf_icon

PMV65XPEA

PMV65XPE20 V, P-channel Trench MOSFET25 April 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Enhanced power dissipation capability: Ptot = 89

 7.1. Size:79K  philips
pmv65xp.pdfpdf_icon

PMV65XPEA

PMV65XPP-channel TrenchMOS extremely low level FETRev. 01 28 September 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Low threshold voltage Low on-state resistance.1.3 Applications Low power DC-to-DC converters Battery management Load sw

 7.2. Size:264K  nxp
pmv65xp.pdfpdf_icon

PMV65XPEA

PMV65XP20 V, single P-channel Trench MOSFET12 February 2013 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology3. Applicati

Другие MOSFET... PMV27UPE , PMV30UN2 , PMV37EN2 , PMV40UN2 , PMV45EN2 , PMV48XPA , PMV50XP , PMV65XPE , IRF2807 , PMV75UP , PMXB120EPE , PMXB350UPE , PMXB360ENEA , PMXB40UNE , PMXB43UNE , PMXB56EN , PMXB65ENE .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.