Справочник MOSFET. PMXB120EPE

 

PMXB120EPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMXB120EPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: DFN1010D-3
 

 Аналог (замена) для PMXB120EPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMXB120EPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  nxp
 pmxb120epe.pdf pdf_icon

PMXB120EPE

PMXB120EPE30 V, P-channel Trench MOSFET24 September 2013 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic

Другие MOSFET... PMV37EN2 , PMV40UN2 , PMV45EN2 , PMV48XPA , PMV50XP , PMV65XPE , PMV65XPEA , PMV75UP , IRF830 , PMXB350UPE , PMXB360ENEA , PMXB40UNE , PMXB43UNE , PMXB56EN , PMXB65ENE , PMXB65UPE , PMXB75UPE .

History: IXFT80N085 | CS4N70F | MDD4N25RH | MDD5N40RH | IXTA1N100P | 2SK3879 | IPP111N15N3

 

 
Back to Top

 


 
.