PMXB120EPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMXB120EPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: DFN1010D-3

Аналог (замена) для PMXB120EPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMXB120EPE даташит

 ..1. Size:245K  nxp
 pmxb120epe.pdf pdf_icon

PMXB120EPE

PMXB120EPE 30 V, P-channel Trench MOSFET 24 September 2013 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic

Другие IGBT... PMV37EN2, PMV40UN2, PMV45EN2, PMV48XPA, PMV50XP, PMV65XPE, PMV65XPEA, PMV75UP, 2N60, PMXB350UPE, PMXB360ENEA, PMXB40UNE, PMXB43UNE, PMXB56EN, PMXB65ENE, PMXB65UPE, PMXB75UPE