PMXB360ENEA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMXB360ENEA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: DFN1010D-3

Аналог (замена) для PMXB360ENEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMXB360ENEA даташит

 ..1. Size:218K  nxp
 pmxb360enea.pdf pdf_icon

PMXB360ENEA

PMXB360ENEA 80 V, N-channel Trench MOSFET 16 September 2013 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic p

 9.1. Size:237K  nxp
 pmxb350upe.pdf pdf_icon

PMXB360ENEA

PMXB350UPE 20 V, P-channel Trench MOSFET 24 January 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic pa

Другие IGBT... PMV45EN2, PMV48XPA, PMV50XP, PMV65XPE, PMV65XPEA, PMV75UP, PMXB120EPE, PMXB350UPE, P60NF06, PMXB40UNE, PMXB43UNE, PMXB56EN, PMXB65ENE, PMXB65UPE, PMXB75UPE, PMZ1200UPE, PMZ130UNE