PMXB360ENEA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMXB360ENEA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.7 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
Тип корпуса: DFN1010D-3
Аналог (замена) для PMXB360ENEA
PMXB360ENEA Datasheet (PDF)
pmxb360enea.pdf
PMXB360ENEA80 V, N-channel Trench MOSFET16 September 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic p
pmxb350upe.pdf
PMXB350UPE20 V, P-channel Trench MOSFET24 January 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic pa
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918