Справочник MOSFET. PMXB40UNE

 

PMXB40UNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMXB40UNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: DFN1010D-3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMXB40UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  nxp
 pmxb40une.pdf pdf_icon

PMXB40UNE

PMXB40UNE12 V, N-channel Trench MOSFET27 September 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and thin SMD plastic package

 9.1. Size:245K  nxp
 pmxb43une.pdf pdf_icon

PMXB40UNE

PMXB43UNE20 V, N-channel Trench MOSFET19 September 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and thin SMD plastic package

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: TSU5N65M | RJK0214DPA | FQD5N60C | MRF140 | LSF65R125HT | STV5NA50 | SSF60R105SFD2

 

 
Back to Top

 


 
.