PMXB40UNE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMXB40UNE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: DFN1010D-3

Аналог (замена) для PMXB40UNE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMXB40UNE даташит

 ..1. Size:254K  nxp
 pmxb40une.pdf pdf_icon

PMXB40UNE

PMXB40UNE 12 V, N-channel Trench MOSFET 27 September 2013 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and thin SMD plastic package

 9.1. Size:245K  nxp
 pmxb43une.pdf pdf_icon

PMXB40UNE

PMXB43UNE 20 V, N-channel Trench MOSFET 19 September 2013 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and thin SMD plastic package

Другие IGBT... PMV48XPA, PMV50XP, PMV65XPE, PMV65XPEA, PMV75UP, PMXB120EPE, PMXB350UPE, PMXB360ENEA, 75N75, PMXB43UNE, PMXB56EN, PMXB65ENE, PMXB65UPE, PMXB75UPE, PMZ1200UPE, PMZ130UNE, PMZ200UNE