PMXB65ENE - аналоги и даташиты транзистора

 

PMXB65ENE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMXB65ENE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm
   Тип корпуса: DFN1010D-3
 

 Аналог (замена) для PMXB65ENE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMXB65ENE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  nxp
 pmxb65ene.pdf pdf_icon

PMXB65ENE

PMXB65ENE30 V, N-channel Trench MOSFET20 May 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and thin SMD plastic package: 1.1

 8.1. Size:250K  nxp
 pmxb65upe.pdf pdf_icon

PMXB65ENE

PMXB65UPE12 V, P-channel Trench MOSFET8 July 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package

Другие MOSFET... PMV65XPEA , PMV75UP , PMXB120EPE , PMXB350UPE , PMXB360ENEA , PMXB40UNE , PMXB43UNE , PMXB56EN , IRFZ48N , PMXB65UPE , PMXB75UPE , PMZ1200UPE , PMZ130UNE , PMZ200UNE , PMZ290UN , PMZ290UNE , PMZ290UNE2 .

History: 2SK3857TK | H35N03J | SI2301BDS-T1-GE3 | STLT20FI | H4946S | 2SK3857TV | RJK0822SPN

 

 
Back to Top

 


 
.