Справочник MOSFET. PMXB65UPE

 

PMXB65UPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMXB65UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.317 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: DFN1010D-3
 

 Аналог (замена) для PMXB65UPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMXB65UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  nxp
 pmxb65upe.pdf pdf_icon

PMXB65UPE

PMXB65UPE12 V, P-channel Trench MOSFET8 July 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package

 8.1. Size:254K  nxp
 pmxb65ene.pdf pdf_icon

PMXB65UPE

PMXB65ENE30 V, N-channel Trench MOSFET20 May 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and thin SMD plastic package: 1.1

Другие MOSFET... PMV75UP , PMXB120EPE , PMXB350UPE , PMXB360ENEA , PMXB40UNE , PMXB43UNE , PMXB56EN , PMXB65ENE , NCEP15T14 , PMXB75UPE , PMZ1200UPE , PMZ130UNE , PMZ200UNE , PMZ290UN , PMZ290UNE , PMZ290UNE2 , PMZ320UPE .

History: AON6372 | NVMFS020N06C | APT6010B2LLG | QM3016U

 

 
Back to Top

 


 
.