Справочник MOSFET. PMXB75UPE

 

PMXB75UPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMXB75UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.317 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: DFN1010D-3
 

 Аналог (замена) для PMXB75UPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMXB75UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  nxp
 pmxb75upe.pdf pdf_icon

PMXB75UPE

PMXB75UPE20 V, P-channel Trench MOSFET8 July 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package

Другие MOSFET... PMXB120EPE , PMXB350UPE , PMXB360ENEA , PMXB40UNE , PMXB43UNE , PMXB56EN , PMXB65ENE , PMXB65UPE , MMIS60R580P , PMZ1200UPE , PMZ130UNE , PMZ200UNE , PMZ290UN , PMZ290UNE , PMZ290UNE2 , PMZ320UPE , PMZ350UPE .

 

 
Back to Top

 


 
.