PMXB75UPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMXB75UPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.317 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: DFN1010D-3

Аналог (замена) для PMXB75UPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMXB75UPE даташит

 ..1. Size:251K  nxp
 pmxb75upe.pdf pdf_icon

PMXB75UPE

PMXB75UPE 20 V, P-channel Trench MOSFET 8 July 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package

Другие IGBT... PMXB120EPE, PMXB350UPE, PMXB360ENEA, PMXB40UNE, PMXB43UNE, PMXB56EN, PMXB65ENE, PMXB65UPE, 7N60, PMZ1200UPE, PMZ130UNE, PMZ200UNE, PMZ290UN, PMZ290UNE, PMZ290UNE2, PMZ320UPE, PMZ350UPE