Справочник MOSFET. PMXB75UPE

 

PMXB75UPE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMXB75UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.317 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6.8 nC
   Время нарастания (tr): 19 ns
   Выходная емкость (Cd): 75 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
   Тип корпуса: DFN1010D-3

 Аналог (замена) для PMXB75UPE

 

 

PMXB75UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  nxp
 pmxb75upe.pdf

PMXB75UPE PMXB75UPE

PMXB75UPE20 V, P-channel Trench MOSFET8 July 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top