PMZ130UNE - аналоги и даташиты транзистора

 

PMZ130UNE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMZ130UNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3
 

 Аналог (замена) для PMZ130UNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ130UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  nxp
 pmz130une.pdf pdf_icon

PMZ130UNE

PMZ130UNE20 V, N-channel Trench MOSFET12 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology Ele

Другие MOSFET... PMXB360ENEA , PMXB40UNE , PMXB43UNE , PMXB56EN , PMXB65ENE , PMXB65UPE , PMXB75UPE , PMZ1200UPE , STP65NF06 , PMZ200UNE , PMZ290UN , PMZ290UNE , PMZ290UNE2 , PMZ320UPE , PMZ350UPE , PMZ370UNE , PMZ390UNE .

History: STU458S | 2N60L-TA3-T | ELM14405AA | DMN2005LPK | 2SK3783 | NMSD200B01-7

 

 
Back to Top

 


 
.