PMZ320UPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMZ320UPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.51 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

Аналог (замена) для PMZ320UPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ320UPE даташит

 ..1. Size:220K  nxp
 pmz320upe.pdf pdf_icon

PMZ320UPE

PMZ320UPE 30 V, P-channel Trench MOSFET 24 March 2015 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Ele

Другие IGBT... PMXB65UPE, PMXB75UPE, PMZ1200UPE, PMZ130UNE, PMZ200UNE, PMZ290UN, PMZ290UNE, PMZ290UNE2, AON7403, PMZ350UPE, PMZ370UNE, PMZ390UNE, PMZ550UNE, PMZ600UNE, PMZ950UPE, PMZB1200UPE, PMZB150UNE