PMZ320UPE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMZ320UPE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.51 Ohm
Тип корпуса: DFN1006-3
Аналог (замена) для PMZ320UPE
PMZ320UPE Datasheet (PDF)
pmz320upe.pdf

PMZ320UPE30 V, P-channel Trench MOSFET24 March 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Ele
Другие MOSFET... PMXB65UPE , PMXB75UPE , PMZ1200UPE , PMZ130UNE , PMZ200UNE , PMZ290UN , PMZ290UNE , PMZ290UNE2 , HY1906P , PMZ350UPE , PMZ370UNE , PMZ390UNE , PMZ550UNE , PMZ600UNE , PMZ950UPE , PMZB1200UPE , PMZB150UNE .
History: IPB042N10N3GE8187 | CS3N90B | STP32N55M5 | SSM3K36FS | SSM3K35CT | STP2NK90Z | HFN6N70U
History: IPB042N10N3GE8187 | CS3N90B | STP32N55M5 | SSM3K36FS | SSM3K35CT | STP2NK90Z | HFN6N70U



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo