PMZ320UPE - аналоги и даташиты транзистора

 

PMZ320UPE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMZ320UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.51 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3
 

 Аналог (замена) для PMZ320UPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ320UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  nxp
pmz320upe.pdfpdf_icon

PMZ320UPE

PMZ320UPE30 V, P-channel Trench MOSFET24 March 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Ele

Другие MOSFET... PMXB65UPE , PMXB75UPE , PMZ1200UPE , PMZ130UNE , PMZ200UNE , PMZ290UN , PMZ290UNE , PMZ290UNE2 , EMB04N03H , PMZ350UPE , PMZ370UNE , PMZ390UNE , PMZ550UNE , PMZ600UNE , PMZ950UPE , PMZB1200UPE , PMZB150UNE .

History: ME60P06T-G | ELM14418AA | TSD840MD | 2SK3299-ZJ | 2N60L-T2Q-T | NCEAP40T35ALL | PMZ390UNE

 

 
Back to Top

 


 
.