PMZ390UNE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMZ390UNE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

Аналог (замена) для PMZ390UNE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ390UNE даташит

 ..1. Size:213K  nxp
 pmz390une.pdf pdf_icon

PMZ390UNE

PMZ390UNE 30 V, N-channel Trench MOSFET 12 March 2015 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Ele

 6.1. Size:207K  nxp
 pmz390un.pdf pdf_icon

PMZ390UNE

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

Другие IGBT... PMZ130UNE, PMZ200UNE, PMZ290UN, PMZ290UNE, PMZ290UNE2, PMZ320UPE, PMZ350UPE, PMZ370UNE, RU7088R, PMZ550UNE, PMZ600UNE, PMZ950UPE, PMZB1200UPE, PMZB150UNE, PMZB200UNE, PMZB290UN, PMZB290UNE