PMZ950UPE - аналоги и даташиты транзистора

 

PMZ950UPE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMZ950UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3
 

 Аналог (замена) для PMZ950UPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ950UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  nxp
 pmz950upe.pdf pdf_icon

PMZ950UPE

PMZ950UPE20 V, P-channel Trench MOSFET10 July 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package:

 0.1. Size:717K  nxp
 pmz950upel.pdf pdf_icon

PMZ950UPE

PMZ950UPEL20 V, P-channel Trench MOSFET28 June 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra

Другие MOSFET... PMZ290UNE , PMZ290UNE2 , PMZ320UPE , PMZ350UPE , PMZ370UNE , PMZ390UNE , PMZ550UNE , PMZ600UNE , BS170 , PMZB1200UPE , PMZB150UNE , PMZB200UNE , PMZB290UN , PMZB290UNE , PMZB290UNE2 , PMZB300XN , PMZB320UPE .

History: RU1HP55R | 5N65KL-TMS-T | STY34NB50 | PMZ390UNE | RU1Z200Q

 

 
Back to Top

 


 
.