PMZ950UPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMZ950UPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

Аналог (замена) для PMZ950UPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ950UPE даташит

 ..1. Size:230K  nxp
 pmz950upe.pdf pdf_icon

PMZ950UPE

PMZ950UPE 20 V, P-channel Trench MOSFET 10 July 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package

 0.1. Size:717K  nxp
 pmz950upel.pdf pdf_icon

PMZ950UPE

PMZ950UPEL 20 V, P-channel Trench MOSFET 28 June 2016 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra

Другие IGBT... PMZ290UNE, PMZ290UNE2, PMZ320UPE, PMZ350UPE, PMZ370UNE, PMZ390UNE, PMZ550UNE, PMZ600UNE, AO4407A, PMZB1200UPE, PMZB150UNE, PMZB200UNE, PMZB290UN, PMZB290UNE, PMZB290UNE2, PMZB300XN, PMZB320UPE