PMZB150UNE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMZB150UNE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: DFN1006B-3

Аналог (замена) для PMZB150UNE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZB150UNE даташит

 ..1. Size:220K  nxp
 pmzb150une.pdf pdf_icon

PMZB150UNE

PMZB150UNE 20 V, N-channel Trench MOSFET 24 March 2015 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology

 9.1. Size:212K  nxp
 pmzb1200upe.pdf pdf_icon

PMZB150UNE

PMZB1200UPE 30 V, P-channel Trench MOSFET 25 March 2015 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching

Другие IGBT... PMZ320UPE, PMZ350UPE, PMZ370UNE, PMZ390UNE, PMZ550UNE, PMZ600UNE, PMZ950UPE, PMZB1200UPE, IRFP064N, PMZB200UNE, PMZB290UN, PMZB290UNE, PMZB290UNE2, PMZB300XN, PMZB320UPE, PMZB350UPE, PMZB370UNE