PMZB300XN - аналоги и даташиты транзистора

 

PMZB300XN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMZB300XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006B-3
 

 Аналог (замена) для PMZB300XN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZB300XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  nxp
 pmzb300xn.pdf pdf_icon

PMZB300XN

PMZB300XN20 V, single N-channel Trench MOSFET1 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.1.2 Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology Low

 9.1. Size:220K  nxp
 pmzb320upe.pdf pdf_icon

PMZB300XN

PMZB320UPE30 V, P-channel Trench MOSFET24 March 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching

 9.2. Size:968K  nxp
 pmzb370une.pdf pdf_icon

PMZB300XN

PMZB370UNE30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 8 May 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Ultra thin package

 9.3. Size:215K  nxp
 pmzb390une.pdf pdf_icon

PMZB300XN

PMZB390UNE30 V, N-channel Trench MOSFET12 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMZ600UNE , PMZ950UPE , PMZB1200UPE , PMZB150UNE , PMZB200UNE , PMZB290UN , PMZB290UNE , PMZB290UNE2 , IRF740 , PMZB320UPE , PMZB350UPE , PMZB370UNE , PMZB380XN , PMZB390UNE , PMZB420UN , PMZB550UNE , PMZB600UNE .

History: SIS456DN | IXTL2N450 | SWHA026R03VT | SM2311PSA | WSD6040DN56 | SM2317PSA | SM2305PSA

 

 
Back to Top

 


 
.