Справочник MOSFET. PMZB390UNE

 

PMZB390UNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZB390UNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006B-3
 

 Аналог (замена) для PMZB390UNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZB390UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  nxp
 pmzb390une.pdf pdf_icon

PMZB390UNE

PMZB390UNE30 V, N-channel Trench MOSFET12 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology

 9.1. Size:220K  nxp
 pmzb320upe.pdf pdf_icon

PMZB390UNE

PMZB320UPE30 V, P-channel Trench MOSFET24 March 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching

 9.2. Size:968K  nxp
 pmzb370une.pdf pdf_icon

PMZB390UNE

PMZB370UNE30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 8 May 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Ultra thin package

 9.3. Size:205K  nxp
 pmzb300xn.pdf pdf_icon

PMZB390UNE

PMZB300XN20 V, single N-channel Trench MOSFET1 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.1.2 Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology Low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMZB290UN , PMZB290UNE , PMZB290UNE2 , PMZB300XN , PMZB320UPE , PMZB350UPE , PMZB370UNE , PMZB380XN , 50N06 , PMZB420UN , PMZB550UNE , PMZB600UNE , PMZB670UPE , PMZB790SN , PMZB950UPE , PNM23T100V6 , PNM23T703E0-2 .

History: PMCXB900UEL | SFF25P20S2I-02 | AP4409AGEM | SIHFI840GLC | FTK1N60T | CJ3415 | FA57SA50LCP

 

 
Back to Top

 


 
.