PNMDP100V10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNMDP100V10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для PNMDP100V10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMDP100V10 даташит

 ..1. Size:127K  prisemi
 pnmdp100v10.pdf pdf_icon

PNMDP100V10

PNMDP100V10 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) 100 105@VGS=10V 9.6 G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 9.6

 9.1. Size:123K  prisemi
 pnmdp30v60.pdf pdf_icon

PNMDP100V10

PNMDP30V60 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) 30 8.3@VGS=10V 60 G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 60 Drai

 9.2. Size:113K  prisemi
 pnmdp600v4 pnmip600v4.pdf pdf_icon

PNMDP100V10

PNMDP600V4 PNMIP600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Drai

 9.3. Size:113K  prisemi
 pnmdp600v2 pnmip600v2.pdf pdf_icon

PNMDP100V10

PNMDP600V2 PNMIP600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Drai

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PNM23T703E0-2, PNM523T201E0, PNM523T703E0-2, PNM723T201E0, PNM723T703E0-2, PNM8N30V60, PNM8P30V12, PNM8P30V20, P55NF06, PNMDP30V60, PNMDP30V90, PNMDP600V1, PNMDP600V2, PNMDP600V4, PNMET20V06E, PNMIP600V1, PNMIP600V2