PNMDP100V10 - аналоги и даташиты транзистора

 

PNMDP100V10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PNMDP100V10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PNMDP100V10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMDP100V10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  prisemi
 pnmdp100v10.pdf pdf_icon

PNMDP100V10

PNMDP100V10 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 100 105@VGS=10V 9.6G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 100 VGate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 9.6

 9.1. Size:123K  prisemi
 pnmdp30v60.pdf pdf_icon

PNMDP100V10

PNMDP30V60 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 30 8.3@VGS=10V 60G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 60 Drai

 9.2. Size:113K  prisemi
 pnmdp600v4 pnmip600v4.pdf pdf_icon

PNMDP100V10

PNMDP600V4 PNMIP600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Drai

 9.3. Size:113K  prisemi
 pnmdp600v2 pnmip600v2.pdf pdf_icon

PNMDP100V10

PNMDP600V2 PNMIP600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Drai

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PNM23T703E0-2 , PNM523T201E0 , PNM523T703E0-2 , PNM723T201E0 , PNM723T703E0-2 , PNM8N30V60 , PNM8P30V12 , PNM8P30V20 , 2SK3878 , PNMDP30V60 , PNMDP30V90 , PNMDP600V1 , PNMDP600V2 , PNMDP600V4 , PNMET20V06E , PNMIP600V1 , PNMIP600V2 .

History: GP1M011A050XXX | APT8020LFLLG

 

 
Back to Top

 


 
.