Справочник MOSFET. PNMDP30V60

 

PNMDP30V60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNMDP30V60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PNMDP30V60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMDP30V60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  prisemi
 pnmdp30v60.pdf pdf_icon

PNMDP30V60

PNMDP30V60 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 30 8.3@VGS=10V 60G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 60 Drai

 6.1. Size:117K  prisemi
 pnmdp30v90.pdf pdf_icon

PNMDP30V60

PNMDP30V90 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 30 4@VGS=10V 80G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 80 Drain

 9.1. Size:113K  prisemi
 pnmdp600v4 pnmip600v4.pdf pdf_icon

PNMDP30V60

PNMDP600V4 PNMIP600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Drai

 9.2. Size:113K  prisemi
 pnmdp600v2 pnmip600v2.pdf pdf_icon

PNMDP30V60

PNMDP600V2 PNMIP600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Drai

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PNM523T201E0 , PNM523T703E0-2 , PNM723T201E0 , PNM723T703E0-2 , PNM8N30V60 , PNM8P30V12 , PNM8P30V20 , PNMDP100V10 , 2SK3878 , PNMDP30V90 , PNMDP600V1 , PNMDP600V2 , PNMDP600V4 , PNMET20V06E , PNMIP600V1 , PNMIP600V2 , PNMIP600V4 .

History: AP18P10AGH | BUK7Y41-80E | AP9965GEJ | 2SK2764-01R | TK4P50D | AP9565BGH-HF

 

 
Back to Top

 


 
.