PNMT20V3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNMT20V3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PNMT20V3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMT20V3 даташит

 ..1. Size:151K  prisemi
 pnmt20v3.pdf pdf_icon

PNMT20V3

PNMT20V3 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D 3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) G 1 20 0.043@ VGS=4.5V 3 S 2 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF/ON CHARACTE

Другие IGBT... PNMDP30V90, PNMDP600V1, PNMDP600V2, PNMDP600V4, PNMET20V06E, PNMIP600V1, PNMIP600V2, PNMIP600V4, IRF9540N, PNMT30V6, PNMT45V2, PNMT50V02E, PNMT60V02, PNMT60V02E, PNMT60V3, PNMTO600V2, PNMTO600V4