PNMTOF600V8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNMTOF600V8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 109 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для PNMTOF600V8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMTOF600V8 даташит

 ..1. Size:124K  prisemi
 pnmto600v8 pnmtof600v8.pdf pdf_icon

PNMTOF600V8

PNMTO600V8 PNMTOF600V8 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 0.98@ VGS=10V 8.0 G 1 S 3 Absolute maximum rating@25 PNMTO6 PNMTOF Rating Symbol Units 00V8 600V8 Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V

 4.1. Size:119K  prisemi
 pnmto600v4 pnmtof600v4.pdf pdf_icon

PNMTOF600V8

PNMTO600V4 PNMTOF600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Dra

 4.2. Size:124K  prisemi
 pnmto600v7 pnmtof600v7.pdf pdf_icon

PNMTOF600V8

PNMTO600V7 PNMTOF600V7 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 1.1@ VGS=10V 7.0 G 1 S 3 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Curre

 4.3. Size:119K  prisemi
 pnmto600v2 pnmtof600v2.pdf pdf_icon

PNMTOF600V8

PNMTO600V2 PNMTOF600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Dra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PNMTO600V4, PNMTO600V5, PNMTO600V7, PNMTO600V8, PNMTOF600V2, PNMTOF600V4, PNMTOF600V5, PNMTOF600V7, AON6380, PNMTOF650V13, PNMUT20V06, PNMVT20V03E, PPF240M, PPM3T20V6, PPM523T201E0, PPM6N12V10, PPM6N20V10