PNMUT20V06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PNMUT20V06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.17 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: SOT-323
Аналог (замена) для PNMUT20V06
PNMUT20V06 Datasheet (PDF)
pnmut20v06.pdf
PNMUT20V06 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 20 0.3@ VGS=4.5V 0.6G1 S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Drain-Source B
Другие MOSFET... PNMTO600V7 , PNMTO600V8 , PNMTOF600V2 , PNMTOF600V4 , PNMTOF600V5 , PNMTOF600V7 , PNMTOF600V8 , PNMTOF650V13 , CS150N03A8 , PNMVT20V03E , PPF240M , PPM3T20V6 , PPM523T201E0 , PPM6N12V10 , PPM6N20V10 , PPM723T201E0 , PPM8P30V10 .
History: NVMTS0D6N04C | STP75NS04Z | AP86T03GH | 2SK3435-ZJ | SSP65R260S2E | 2SK3456-S | TSM4425CS
History: NVMTS0D6N04C | STP75NS04Z | AP86T03GH | 2SK3435-ZJ | SSP65R260S2E | 2SK3456-S | TSM4425CS
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet


