PNMUT20V06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNMUT20V06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для PNMUT20V06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMUT20V06 даташит

 ..1. Size:109K  prisemi
 pnmut20v06.pdf pdf_icon

PNMUT20V06

PNMUT20V06 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 20 0.3@ VGS=4.5V 0.6 G 1 S 2 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Drain-Source B

Другие IGBT... PNMTO600V7, PNMTO600V8, PNMTOF600V2, PNMTOF600V4, PNMTOF600V5, PNMTOF600V7, PNMTOF600V8, PNMTOF650V13, CS150N03A8, PNMVT20V03E, PPF240M, PPM3T20V6, PPM523T201E0, PPM6N12V10, PPM6N20V10, PPM723T201E0, PPM8P30V10