Справочник MOSFET. PNMUT20V06

 

PNMUT20V06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PNMUT20V06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.17 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.85 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.6 A
   Выходная емкость (Cd): 23 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323

 Аналог (замена) для PNMUT20V06

 

 

PNMUT20V06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  prisemi
 pnmut20v06.pdf

PNMUT20V06 PNMUT20V06

PNMUT20V06 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 20 0.3@ VGS=4.5V 0.6G1 S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Drain-Source B

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top