Справочник MOSFET. PNMUT20V06

 

PNMUT20V06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNMUT20V06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для PNMUT20V06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMUT20V06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  prisemi
 pnmut20v06.pdf pdf_icon

PNMUT20V06

PNMUT20V06 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 20 0.3@ VGS=4.5V 0.6G1 S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Drain-Source B

Другие MOSFET... PNMTO600V7 , PNMTO600V8 , PNMTOF600V2 , PNMTOF600V4 , PNMTOF600V5 , PNMTOF600V7 , PNMTOF600V8 , PNMTOF650V13 , IRLB4132 , PNMVT20V03E , PPF240M , PPM3T20V6 , PPM523T201E0 , PPM6N12V10 , PPM6N20V10 , PPM723T201E0 , PPM8P30V10 .

History: 2SK3829 | PHD22NQ20T | HM30N02Q | PSMN1R2-25YL | AOT1100L | JCS18N25RC | AP90T10GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.