Справочник MOSFET. PPMDP100V10

 

PPMDP100V10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PPMDP100V10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPMDP100V10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  prisemi
 ppmdp100v10.pdf pdf_icon

PPMDP100V10

PPMDP100V10 P-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) -100 170@VGS=10V -13G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS -100 VGate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 -13

Другие MOSFET... PNMVT20V03E , PPF240M , PPM3T20V6 , PPM523T201E0 , PPM6N12V10 , PPM6N20V10 , PPM723T201E0 , PPM8P30V10 , STF13NM60N , PPMET20V08 , PPMET20V08E , PPMS8N20V3 , PPMT12V4 , PPMT20V3 , PPMT20V4E , PPMT30V3 , PPMT30V4 .

History: FDMS6681Z

 

 
Back to Top

 


 
.