PPMET20V08E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PPMET20V08E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: SOT-523

Аналог (замена) для PPMET20V08E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPMET20V08E даташит

 ..1. Size:109K  prisemi
 ppmet20v08e.pdf pdf_icon

PPMET20V08E

PPMET20V08E P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 0.85@ VGS=-4.5V -0.8 G 1 -20 1.2@ VGS=-2.5V -0.5 S 2 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHAR

 4.1. Size:109K  prisemi
 ppmet20v08.pdf pdf_icon

PPMET20V08E

PPMET20V08 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) G 1 0.85@ VGS=-4.5V -0.8 -20 1.2@ VGS=-2.5V -0.5 S 2 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARA

Другие IGBT... PPM3T20V6, PPM523T201E0, PPM6N12V10, PPM6N20V10, PPM723T201E0, PPM8P30V10, PPMDP100V10, PPMET20V08, 2SK3568, PPMS8N20V3, PPMT12V4, PPMT20V3, PPMT20V4E, PPMT30V3, PPMT30V4, PPMT32V4, PPMT50V02