PSMG100-05 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PSMG100-05
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1280 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: ECO-PAC2
Аналог (замена) для PSMG100-05
PSMG100-05 Datasheet (PDF)
psmg100-05.pdf

ECO-PACTM 2Power MOSFETID25 = 82 APSMG 100/05*VDSS = 500 Vin ECO-PAC 2RDSon = 50 mX18Single MOSFET DieI K10 A1 L N 9Preliminary Data SheetK13 K15*NTC optionalMOSFETSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VFeaturesID25 T
psmg150-01.pdf

ECO-PACTM 2Power MOSFETVDSS = 100 Vin ECO-PAC 2PSMG 150/01* ID25 = 165 ARDS(on) = 8 mX18Single MOSFET DieI K10/11 A1 L N 8/9trr
Другие MOSFET... PS20N600A , PS4953A , PS60N60 , PS75N75 , PS75N75A , PS8205A , PS8205B , PS90N80 , 2SK3918 , PSMG150-01 , PSMG50-05 , PSMG60-08 , PSMN003-30B , PSMN003-30P , PSMN004-36B , PSMN004-55W , PSMN005-25D .
History: HMS18N10D | SNN5010D | H7N0607DL | GSM8822 | AOD450 | GSM8823 | GSM8936
History: HMS18N10D | SNN5010D | H7N0607DL | GSM8822 | AOD450 | GSM8823 | GSM8936



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546