PSMN004-55W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PSMN004-55W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 226 nC
Время нарастания (tr): 118 ns
Выходная емкость (Cd): 1900 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0042 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для PSMN004-55W
PSMN004-55W Datasheet (PDF)
psmn004-55w.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel logic level TrenchMOS transistor PSMN004-55W FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 100 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 4.2 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 4.5 m (VGS = 5 V)sRDS(ON) 5
psmn004-25b p 4.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel logic level TrenchMOS transistor PSMN004-25B, PSMN004-25PFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Low thermal resistanceRDS(ON) 4 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 5 m (VGS = 5 V)sGENERAL DESCRIPTIONSiliconMAX pr
psmn004-36b.pdf
PSMN004-36P/36BN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 19 November 2001 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PSMN004-36P in SOT78 (TO-220AB)PSMN004-36B in SOT404 (D2-PAK).2. Features Very low on-state resistance Fast switching.3. Applicat
psmn004-60b.pdf
PSMN004-60BN-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETRev. 02 15 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionSiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial ap
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
