WVM11N80 - аналоги и даташиты транзистора

 

WVM11N80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WVM11N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для WVM11N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WVM11N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:22K  shaanxi
 wvm11n80.pdf pdf_icon

WVM11N80

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM11N80Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power source co

Другие MOSFET... PSMN013-100YSE , PSMN013-30MLC , PSMN015-60BS , PSMN016-100BS , WPH4003 , WT3139K , WTC3401 , WTX1013 , AON6414A , WVM12N10 , WVM13N50 , WVM15N20 , WVM15N40 , WVM15N45 , WVM15N50 , WVM15N60 , WVM18N20 .

History: AP4800GM | 2SJ343 | BSB012NE2LX | STD9NM50N-1 | ME4410A | IRF7343QPBF

 

 
Back to Top

 


 
.