WVM11N80 - описание и поиск аналогов

 

WVM11N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WVM11N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для WVM11N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WVM11N80 даташит

 ..1. Size:22K  shaanxi
 wvm11n80.pdf pdf_icon

WVM11N80

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM11N80 Power MOSFET(N-channel) Transistor Features 1. It s voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power source co

Другие IGBT... PSMN013-100YSE, PSMN013-30MLC, PSMN015-60BS, PSMN016-100BS, WPH4003, WT3139K, WTC3401, WTX1013, IRFB4115, WVM12N10, WVM13N50, WVM15N20, WVM15N40, WVM15N45, WVM15N50, WVM15N60, WVM18N20

 

 

 

 

↑ Back to Top
.