Справочник MOSFET. WVM25N40

 

WVM25N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WVM25N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 140 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для WVM25N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WVM25N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
 wvm25n40.pdf pdf_icon

WVM25N40

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM25N(IRF360)Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power sou

Другие MOSFET... WVM15N40 , WVM15N45 , WVM15N50 , WVM15N60 , WVM18N20 , WVM20N50 , WVM20N8 , WVM21N50 , IRF1010E , WVM28N10 , WVM3.9N100 , WVM30N10 , WVM30N20 , WVM30N30 , WVM3N10 , WVM3N30 , WVM40N20 .

History: RQ1A070ZP | IRF7523D1PBF | BRCS90P03RA | STP190N55LF3 | IRLI2910PBF | BL12N60A-P | AOD2606

 

 
Back to Top

 


 
.